本發(fā)明涉及一種晶圓缺陷分析方法,包括:完成特定工藝步驟后,檢測(cè)所述晶圓,將其上的晶粒分為缺陷晶粒和非缺陷晶粒,并按每個(gè)所述缺陷晶粒內(nèi)的缺陷數(shù)對(duì)所述缺陷晶粒進(jìn)行分類,得到第一檢測(cè)結(jié)果;所有工藝全部完成后,對(duì)上述晶圓進(jìn)行性能測(cè)試,將其上的晶粒分為工作晶粒和非工作晶粒,得到第二檢測(cè)結(jié)果;根據(jù)所述第一檢測(cè)結(jié)果和所述第二檢測(cè)結(jié)果,對(duì)所述晶圓的晶粒進(jìn)行再次分類;計(jì)算每種缺陷引起的缺陷誘致失效率和良率損失。本發(fā)明的晶圓缺陷分析方法準(zhǔn)確可行,解決了現(xiàn)有技術(shù)缺陷分析不準(zhǔn)確的缺陷。
聲明:
“晶圓缺陷分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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