本發(fā)明公開了基于瞬時功率檢測的SiC MOSFET模塊短路檢測電路,包括漏極電壓采集電路、漏極電流采集電路、高速模擬乘法器U
2和高速比較器CP
1,本發(fā)明解決了現(xiàn)有SiC MOSFET模塊短路保護(hù)時存在的響應(yīng)速度慢、易誤觸發(fā)的缺陷。本發(fā)明還公開了一種SiC MOSFET模塊短路檢測方法,漏極電壓采集電路和漏極電流采集電路分別將采集的電壓值和電流值傳送到高速模擬乘法器U
2的乘積輸入端,經(jīng)過高速模擬乘法器U
2計(jì)算得出瞬時功率值,當(dāng)瞬時功率值大于設(shè)定參考閾值V
ref,p時,高速比較器CP
1翻轉(zhuǎn)送出故障關(guān)斷信號,本發(fā)明避免了SiC MOSFET熱失控或柵?源極失效。
聲明:
“基于瞬時功率檢測的SiCMOSFET模塊短路檢測電路及短路檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)