本發(fā)明公開了一種檢測缺陷殘留的測試結(jié)構(gòu),通過第一測試區(qū)與第二測試區(qū)構(gòu)成相互垂直的雙向梳狀的測試結(jié)構(gòu),并于兩測試焊盤施加偏壓用于對晶體管器件不同方向上的工藝造成的缺陷進行偵測,若偵測到某一晶體管有較低的擊穿電壓或較大的漏電,說明該測試區(qū)中晶體管存在缺陷殘留,同時通過失效分析法找到缺陷殘留位置并做相應(yīng)的改善工藝,另外對于無缺陷殘留的晶體管,對其測試時效性擊穿特性一定程度上也可以評估絕緣層的壽命。
聲明:
“檢測缺陷殘留的測試結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)