本發(fā)明公開(kāi)了一種電子元器件表面腐蝕層厚度的檢測(cè)方法,屬于
分析檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。該方法采用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀對(duì)待測(cè)電子元器件樣品表面進(jìn)行腐蝕元素定位,采集樣品表面成分信息,確認(rèn)腐蝕元素,隨后進(jìn)行縱向深度剖析,當(dāng)腐蝕元素原子數(shù)不再隨剝離深度變化或檢測(cè)不出腐蝕性元素時(shí),以此時(shí)的剝離深度作為腐蝕層厚度。該方法檢測(cè)步驟簡(jiǎn)單,成本較低,無(wú)須額外制樣,檢測(cè)效率高,檢測(cè)靈敏度高可達(dá)ppm至ppb,精度達(dá)到納米級(jí),能夠準(zhǔn)確獲取腐蝕層厚度,對(duì)微型元器件的質(zhì)量評(píng)估、可靠性評(píng)估和失效分析等方面具有較大的應(yīng)用前景。
聲明:
“電子元器件表面腐蝕層厚度的檢測(cè)方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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