本發(fā)明公開(kāi)了一種氮化鎵電子器件的檢測(cè)方法和系統(tǒng),所述方法包括:獲取處于靜態(tài)工作點(diǎn)的氮化鎵電子器件在預(yù)設(shè)光束掃描下的漏極電流值和掃描位置,其中,所述掃描位置為所述預(yù)設(shè)光束在所述氮化鎵電子器件上的投射位置,一個(gè)掃描位置對(duì)應(yīng)一個(gè)漏極電流值;根據(jù)獲取的漏極電流值和掃描位置,繪制漏極電流隨所述掃描位置的變化圖,并將繪制的變化圖與所述氮化鎵電子器件的光學(xué)顯微圖像進(jìn)行疊加,生成疊加圖像;根據(jù)所述疊加圖像,獲取所述氮化鎵電子器件的陷阱缺陷位置信息。實(shí)施本發(fā)明的方法和系統(tǒng),可獲取陷阱缺陷在氮化鎵電子器件的空間分布信息,進(jìn)而可提供對(duì)器件進(jìn)行篩選和失效分析的依據(jù)。
聲明:
“氮化鎵電子器件的檢測(cè)方法和系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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