本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法,包括:利用熱阻測(cè)試儀檢測(cè)待測(cè)的半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu),得到第一微分熱阻結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線;對(duì)該封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行失效試驗(yàn);利用熱阻測(cè)試儀檢測(cè)該封裝結(jié)構(gòu),得到第二微分熱阻結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線;比較所得到的兩條曲線,若第二曲線相對(duì)于第一曲線各點(diǎn)的偏離度均小于或等于偏離度閾值,則該封裝結(jié)構(gòu)未失效,若第二曲線相對(duì)于第一曲線存在偏離度大于偏離度閾值的點(diǎn),則該封裝結(jié)構(gòu)失效,偏離度大于偏離度閾值的點(diǎn)所在的層結(jié)構(gòu)曲線表示的層結(jié)構(gòu)為該封裝結(jié)構(gòu)的失效部位。本發(fā)明所提供的方法能夠在提高檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性、降低檢測(cè)過程的安全隱患、降低檢測(cè)成本的基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體封裝器件的無損檢測(cè)。
聲明:
“半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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