本發(fā)明涉及電子器件輻射效應(yīng)領(lǐng)域,特別是涉及一種大氣中子下SRAM單粒子效應(yīng)檢測數(shù)據(jù)區(qū)分方法和系統(tǒng),通過對SRAM器件進(jìn)行大氣中子單粒子效應(yīng)實(shí)時檢測,獲取所述SRAM器件的總失效率;獲取所述SRAM器件由阿爾法粒子導(dǎo)致的第一失效率;獲取所述SRAM器件由熱中子導(dǎo)致的第二失效率;根據(jù)所述總失效率、所述第一失效率和所述第二失效率獲取所述SRAM器件由大氣中子導(dǎo)致的目標(biāo)失效率。本方案可區(qū)分SRAM器件大氣中子單粒子效應(yīng)實(shí)時測量試驗(yàn)數(shù)據(jù)中阿爾法粒子、熱中子和大氣中子三種成份各自的貢獻(xiàn),從而獲得大氣中子導(dǎo)致的SRAM器件單粒子效應(yīng)失效率,從而提高SRAM器件大氣中子單粒子效應(yīng)敏感性的定量評價結(jié)果的準(zhǔn)確性。
聲明:
“大氣中子下SRAM單粒子效應(yīng)檢測數(shù)據(jù)區(qū)分方法和系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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