本發(fā)明公開(kāi)了一種非破壞性功率MOS管單粒子燒毀效應(yīng)檢測(cè)電路及方法,電路包括柵極偏置電路、漏極偏置電路和信號(hào)采集電路,方法包括對(duì)功率MOS管施加一定的偏置,在重離子輻照的情況下檢測(cè)MOS管的源極電流,通過(guò)電流變化曲線來(lái)判斷MOS管單粒子燒毀(SEB,single-event?burnout)現(xiàn)象是否發(fā)生。本檢測(cè)方法根據(jù)MOS管器件性能參數(shù),設(shè)置器件的源極和漏極限流電阻和充放電電容,來(lái)保證SEB現(xiàn)象發(fā)生時(shí)的源極電流在可被檢測(cè)的范圍內(nèi),同時(shí)又確保器件未被燒毀而造成MOS管的破壞性失效。本發(fā)明方法簡(jiǎn)單,可以檢測(cè)一只MOS管SEB效應(yīng)的多次發(fā)生,同時(shí)又具有非破壞性的特點(diǎn)。
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“非破壞性功率MOS管單粒子燒毀效應(yīng)檢測(cè)電路及方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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