本發(fā)明揭示了一種柵介質(zhì)層的完整性檢測方法,包括:提供一待測樣品,所述待測樣品包括有源區(qū)以及形成于所述有源區(qū)上的柵電極結(jié)構(gòu)和電介質(zhì)層,所述柵電極結(jié)構(gòu)包括堆疊設(shè)置于有源區(qū)上的柵介質(zhì)層和柵電極,所述電介質(zhì)層露出所述柵電極的表面;提供一電解池,所述電解池包括電源、電解池陽極以及電解液,所述電源的陽極連接所述電解池陽極;將所述有源區(qū)與所述電源的陰極電連接;將所述柵電極和所述電解池陽極浸入所述電解液中;如果某一所述柵電極的表面產(chǎn)生置換金屬,則判斷所述某一柵電極與有源區(qū)之間的所述柵介質(zhì)層失效。采用本發(fā)明提供的柵介質(zhì)層的完整性檢測方法可以快速準(zhǔn)確地判斷柵介質(zhì)層是否完整,并能精確地定位失效的晶體管的位置。
聲明:
“柵介質(zhì)層的完整性檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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