一種采用斷面切割腐蝕技術(shù)檢測(cè)硅晶片體內(nèi)微缺陷的方法,適用于半導(dǎo)體硅襯底片生產(chǎn)廠對(duì)硅晶片體內(nèi)缺陷的檢測(cè)和控制,及時(shí)發(fā)現(xiàn)襯底片不良,減少成品器件的失效。本發(fā)明采用三次循環(huán)濕氧高溫?zé)嵫趸に嚭蛿嗝媲懈罴夹g(shù),使常規(guī)檢測(cè)方法無法探測(cè)到的體內(nèi)缺陷在多次熱氧化過程中充分綴飾并長(zhǎng)大,然后將氧化后的硅晶片選擇表面不同位置切割成寬度為1.5至2.0cm的硅晶片長(zhǎng)條(1),經(jīng)過擇優(yōu)腐蝕后用雙面膠將硅晶片長(zhǎng)條(1)背面粘接在四氟墊塊(2)上,用光學(xué)顯微鏡觀察斷面(3)形貌,并采用連續(xù)掃描法計(jì)數(shù)微觀下的缺陷密度。本發(fā)明的檢測(cè)方法,適合大規(guī)模和批量生產(chǎn)的工廠使用。
聲明:
“采用斷面切割腐蝕技術(shù)檢測(cè)硅晶片體內(nèi)微缺陷的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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