本發(fā)明涉及狀態(tài)監(jiān)測技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種SiC MOSFET監(jiān)測電路及監(jiān)測方法，包括采樣模塊，用于采集所述SiC MOSFET柵極的電信號；分析模塊，與所述采樣模塊連接，用于將所述電信號與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果判斷所述SiC MOSFET是否老化失效。所述SiC MOSFET監(jiān)測電路通過采樣電路對所述SiC MOSFET的柵極電信號進(jìn)行檢測采集處理，并將采集到的電信號與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果判斷所述SiC MOSFET是否老化失效。將本發(fā)明提供的所述SiC MOSFET監(jiān)測電路應(yīng)用在包含有SiC MOSFET器件的電路或系統(tǒng)中時，可以在不中斷系統(tǒng)工作狀態(tài)的情況下實(shí)現(xiàn)對所述SiC MOSFET器件狀態(tài)的監(jiān)測和老化失效預(yù)警，監(jiān)測過程對系統(tǒng)正常工作的干擾小，且預(yù)測精度高。