本發(fā)明屬于半導(dǎo)體金屬導(dǎo)線(xiàn)電子遷移測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法及其樣品的制備方法。測(cè)試樣品的制備方法包括步驟:1)預(yù)處理及減薄和減寬;2)FIB樣品制備。銅鉭形貌的獲得方法還包括步驟:3)第一次TEM觀(guān)察;4)去銅進(jìn)行第二次TEM觀(guān)測(cè)。通過(guò)本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體EM測(cè)試樣品的制備方法,可以一次制備多個(gè)TEM樣品,并且不需要進(jìn)行樣品提取。而通過(guò)本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法,可以快速得到鉭元素分布圖以及銅形貌來(lái)更好地失效分析,從而解決直接用EDS或者EELS做鉭面掃描不但占用機(jī)臺(tái)大量的時(shí)間,而且長(zhǎng)時(shí)間掃描內(nèi)樣品可能會(huì)發(fā)生一定的漂移,因而無(wú)法真實(shí)反映其形貌的技術(shù)問(wèn)題。
聲明:
“半導(dǎo)體EM測(cè)試中銅鉭形貌的獲得方法及測(cè)試樣品制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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