本實(shí)用新型涉及狀態(tài)監(jiān)測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種SiC MOSFET監(jiān)測(cè)電路，包括采樣模塊，用于采集所述SiC MOSFET柵極的電信號(hào)；分析模塊，與所述采樣模塊連接，用于將所述電信號(hào)與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果判斷所述SiC MOSFET是否老化失效。所述SiC MOSFET監(jiān)測(cè)電路通過采樣電路對(duì)所述SiC MOSFET的柵極電信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)采集處理，并將采集到的電信號(hào)與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果判斷所述SiC MOSFET是否老化失效。將本實(shí)用新型提供的所述SiC MOSFET監(jiān)測(cè)電路應(yīng)用在包含有SiC MOSFET器件的電路或系統(tǒng)中時(shí)，可以在不中斷系統(tǒng)工作狀態(tài)的情況下實(shí)現(xiàn)對(duì)所述SiC MOSFET器件狀態(tài)的監(jiān)測(cè)和老化失效預(yù)警，監(jiān)測(cè)過程對(duì)系統(tǒng)正常工作的干擾小，且預(yù)測(cè)精度高。