本發(fā)明提供一種基于自動測試設(shè)備的MARM存儲器的測試方法,所述測試方法包括:步驟S1,將自動測試設(shè)備與MARM 存儲器電連接;步驟S2,對MRAM存儲器進(jìn)行全
芯片存儲單元讀寫功能驗(yàn)證;步驟S3,根據(jù)MARM存儲器工作參數(shù)設(shè)定要求,對MARM存儲器進(jìn)行直流參數(shù)驗(yàn)證和交流參數(shù)驗(yàn)證。本發(fā)明提供的方法利用自動測試設(shè)備針對MARM存儲器進(jìn)行測試,能夠發(fā)現(xiàn)MARM存儲器的故障,所述測試方法能夠檢測MARM存在的各種可能的失效模式,包括:全芯片存儲單元讀寫功能驗(yàn)證;直流參數(shù)驗(yàn)證和交流參數(shù)驗(yàn)證。
聲明:
“基于自動測試設(shè)備的MRAM存儲器的測試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)