本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲器老化測試技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種半導(dǎo)體存儲器老化測試核心板,根據(jù)上位機(jī)的參數(shù)配置實時產(chǎn)生測試向量,輸出各種類型的測試信號、各種測試圖形,并對測試信號進(jìn)行延時調(diào)整、加強(qiáng)驅(qū)動、波形控制的處理,以及對電源信號進(jìn)行補(bǔ)償,產(chǎn)生更精準(zhǔn)的測試信號的電源信號;提升了用戶對測試波形的自定義能力和靈活性;測試核心板具有分區(qū)的存儲器,將測試過程中實時對比測試的數(shù)據(jù)分區(qū)保存,通過分區(qū)存儲的數(shù)據(jù)對失效DUT測試過程進(jìn)行控制和失效分析,實現(xiàn)了老化測試中對單個DUT測試過程的控制和失效分析;通過存儲器譬如DRAM提供的存儲空間保存每顆DUT的每一個IO足夠長的測試信息,從而能夠讓DUT廠商對各批次失效DUT進(jìn)行統(tǒng)計分析,改善良率,提升產(chǎn)品可靠性。
聲明:
“半導(dǎo)體存儲器老化測試核心板” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)