本申請涉及一種GaN功率器件的狀態(tài)監(jiān)測方法、裝置、計算機設(shè)備和介質(zhì)，獲取待測器件的結(jié)溫，根據(jù)結(jié)溫對待測器件進行功率循環(huán)測試，獲取功率循環(huán)測試過程中的待測器件的電氣參數(shù)，電氣參數(shù)包括芯片級失效參數(shù)，根據(jù)電氣參數(shù)以及狀態(tài)監(jiān)測模型得到狀態(tài)監(jiān)測結(jié)果，當狀態(tài)監(jiān)測結(jié)果指示待測器件未發(fā)生失效時，返回根據(jù)結(jié)溫對待測器件進行功率循環(huán)測試，獲取功率循環(huán)測試過程中的待測器件的電氣參數(shù)。通過監(jiān)測待測器件在多次功率循環(huán)測試中的電氣參數(shù)，將待測器件芯片級失效相關(guān)的參數(shù)納入考量，通過狀態(tài)監(jiān)測模型對電氣參數(shù)進行分析，從而能夠高效對待測器件的工作狀態(tài)作出監(jiān)測，有效了提高GaN功率器件狀態(tài)監(jiān)測結(jié)果的全面性以及準確性。