本發(fā)明公開了一種用于TEM/SEM電鏡的原位多參數(shù)測試芯片結(jié)構(gòu)及制備方法，該芯片功能區(qū)包括質(zhì)量塊、熱沉梁、熱執(zhí)行器、靜電執(zhí)行器、支撐梁和引線梁、樣品臺、絕緣層、電極引線壓焊塊和襯底；器件整體呈對稱結(jié)構(gòu)，其中熱執(zhí)行器、靜電執(zhí)行器、熱沉梁、質(zhì)量塊、支撐梁、引線梁、樣品臺都是沿質(zhì)量塊為中心軸線對稱分布。器件為雙驅(qū)動結(jié)構(gòu)，驅(qū)動結(jié)構(gòu)分別是熱執(zhí)行器和靜電執(zhí)行器，可以進(jìn)行靜?動態(tài)測試結(jié)合，由此測試芯片現(xiàn)實(shí)如下功能：待測樣品電學(xué)參數(shù)、力學(xué)參數(shù)的準(zhǔn)靜態(tài)單參數(shù)或多參數(shù)測試；待測樣品平面拉伸下的蠕變、疲勞特性分析；待測樣品的疲勞特性與電學(xué)參數(shù)力學(xué)參數(shù)之間的耦合關(guān)系規(guī)律分析，待測樣品的可靠性失效分析。