一種用于高壓下SiC MOS熱阻測(cè)量的柵漏短路及柵壓供給裝置屬于功率MOS器件熱設(shè)計(jì)和測(cè)試領(lǐng)域。本發(fā)明設(shè)計(jì)了被測(cè)SiC MOS器件柵?漏短接快速切換開關(guān)以及柵壓供給裝置??捎糜诘玫綔孛魠?shù)曲線,隨后施加一定的工作電流并使器件輸出功率達(dá)到穩(wěn)態(tài);由加熱狀態(tài)快速切換為測(cè)試狀態(tài)并采集源?漏寄生二極管的導(dǎo)通壓降,得到器件的結(jié)溫曲線;由結(jié)構(gòu)函數(shù)法處理分析得到SiC MOS器件的熱阻構(gòu)成。本發(fā)明旨在研究SiC MOS器件縱向熱阻分析技術(shù),為SiC MOS器件的熱阻特性研究和失效分析提供條件。
聲明:
“用于高壓下SiC MOS熱阻測(cè)量的柵漏短路及柵壓供給裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)