本發(fā)明提供一種晶圓良率損失預(yù)測方法及自定義缺陷密度圖形自報告系統(tǒng),其中,所述晶圓良率損失預(yù)測方法包括依次獲取晶圓上所有
芯片的整體缺陷密度;建立缺陷密度數(shù)據(jù)模型;獲取所述晶圓的缺陷密度圖形;依次分析所述缺陷密度圖形中所有芯片的失效率;以及,預(yù)測所述晶圓的良率損失情況。本發(fā)明通過建立晶圓的缺陷密度數(shù)據(jù)模型自動輸出不同的缺陷密度范圍對應(yīng)的缺陷密度圖形并預(yù)測晶圓上所有芯片的良率損失情況,為缺陷分析提供精準的缺陷密度報告以及良率損失預(yù)測。
聲明:
“晶圓良率損失預(yù)測方法及自定義缺陷密度圖形自報告系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)