本發(fā)明提供了一種在樣品坡面上進(jìn)行納米探針測(cè)試的方法,包括以下步驟:將樣品固定在FIB的樣品臺(tái)上,并將所述樣品臺(tái)移動(dòng)至電子束與離子束的共聚焦點(diǎn)高度處;旋轉(zhuǎn)所述樣品臺(tái)以使所述樣品臺(tái)與所述離子束成一預(yù)設(shè)角度;利用所述離子束轟擊所述樣品的表面,對(duì)所述樣品的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行切割并形成一坡面;利用納米探針在所述坡面上進(jìn)行電性測(cè)試。利用聚焦離子束在樣品上加工出坡面,通過(guò)在直接在所述坡面處下針實(shí)現(xiàn)了對(duì)樣品內(nèi)下層結(jié)構(gòu)的納米探針測(cè)試,并得到了準(zhǔn)確的電性數(shù)據(jù),對(duì)特殊樣品的失效分析工作有著重大意義。
聲明:
“在樣品坡面上進(jìn)行納米探針測(cè)試的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)