本公開實(shí)施例公開了一種測(cè)試樣品的制備方法。所述方法包括:提供包括失效區(qū)域的待處理結(jié)構(gòu);其中,所述待處理結(jié)構(gòu)包括:多級(jí)臺(tái)階,覆蓋所述臺(tái)階的介質(zhì)層、位于所述臺(tái)階表面上方且設(shè)置于所述介質(zhì)層中的接觸插塞、以及貫穿所述臺(tái)階的虛擬溝道柱;沿相交于所述多級(jí)臺(tái)階所在斜面的預(yù)設(shè)方向,朝向所述臺(tái)階減薄所述待處理結(jié)構(gòu),以形成預(yù)處理樣品;其中,所述預(yù)處理樣品包括所述失效區(qū)域;沿所述預(yù)設(shè)方向,所述預(yù)處理樣品表面殘留的所述接觸插塞的厚度大于或等于第一預(yù)設(shè)厚度;去除所述預(yù)處理樣品表面殘留的所述介質(zhì)層,以顯露所述虛擬溝道柱,形成所述測(cè)試樣品。
聲明:
“測(cè)試樣品的制備方法及測(cè)試樣品” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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