本公開(kāi)提供了一種晶圓探測(cè)數(shù)據(jù)的處理方法和計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),涉及晶片制造技術(shù)領(lǐng)域。其中,晶圓探測(cè)數(shù)據(jù)的處理方法包括:確定已完成的晶圓探測(cè)過(guò)程中產(chǎn)生的新失效位元;獲取新失效位元的修補(bǔ)記錄,以及新失效位元的相鄰位元的修補(bǔ)記錄;解析修補(bǔ)記錄,以確定新失效位元和相鄰位元的屬性信息,屬性信息包括位置信息、備用電路信息、新失效位元的單元圖形和晶圓探測(cè)流程中的至少一種;根據(jù)屬性信息進(jìn)行分類(lèi)學(xué)習(xí),以獲取失效位元預(yù)測(cè)模型;通過(guò)失效位元預(yù)測(cè)模型對(duì)待進(jìn)行晶圓探測(cè)的失效位元進(jìn)行預(yù)測(cè)。通過(guò)本公開(kāi)的技術(shù)方案,提高了預(yù)測(cè)失效位元的可靠性,有利于提升晶圓產(chǎn)品的成品率。
聲明:
“晶圓探測(cè)數(shù)據(jù)的處理方法和計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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