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測量半導體器件歐姆接觸退化芯片及方法

1057 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 09:00:20

一種測量半導體器件歐姆接觸退化芯片及方法屬于半導體技術,特別是半導體器件失效評估領域。本發(fā)明提供了一種專門測量歐姆接觸退化的芯片,其特征在于:在至少有6個圓環(huán)電極的CTLM歐姆接觸測試芯片的圓環(huán)形歐姆接觸表面淀積有SiO2絕緣介質層,在CTLM歐姆接觸測試芯片的另一面有利用金屬鍍膜工藝制備的背電極,然后在每個圓環(huán)電極上固接出一個外引電極;每個圓環(huán)電極和外引電極的固接點都在一條直線上。本發(fā)明測量芯片和方法不但可以測量半導體芯片歐姆接觸電阻率隨施加電流的變化關系以及隨施加電流時間的關系,同時測量芯片可以滿足大電流沖擊要求。因此,使用本發(fā)明芯片和方法能更為準確有效的評估歐姆接觸。

聲明：

“測量半導體器件歐姆接觸退化芯片及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)