本公開涉及
芯片測試方法、芯片參數(shù)設(shè)置方法及芯片,所述方法包括:以預(yù)設(shè)工作頻率作為待測芯片的工作頻率、以預(yù)設(shè)供電電壓作為待測芯片的初始供電電壓,對待測芯片進(jìn)行測試;在待測芯片無法正常工作的情況下,以預(yù)設(shè)電壓值為步長在預(yù)設(shè)供電電壓基礎(chǔ)上逐漸提高供電電壓以對待測芯片進(jìn)行測試,直到待測芯片能夠正常工作或供電電壓大于預(yù)設(shè)電壓閾值;在測試芯片能夠正常工作的情況下,設(shè)置變壓標(biāo)識信息以指示測試芯片需要在預(yù)設(shè)供電電壓上增加電壓以得到正常工作時的供電電壓,并記錄測試芯片在正常工作時的供電電壓相對于所述預(yù)設(shè)供電電壓的增加電壓。本公開可以避免將待測芯片作為失效芯片丟棄的情況,從而挽救大量可用待測芯片,節(jié)約成本。
聲明:
“芯片測試方法、芯片參數(shù)設(shè)置方法及芯片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)