本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件的耐量測(cè)試裝置及方法,通過(guò)電流沖擊單元按照設(shè)定峰值電流值、設(shè)定電流上升率以及設(shè)定脈沖周期向待測(cè)半導(dǎo)體器件輸入電流沖擊信號(hào),并通過(guò)測(cè)試單元測(cè)試待測(cè)半導(dǎo)體器件上的電流沖擊信號(hào)、電流沖擊信號(hào)的測(cè)試脈沖次數(shù)以及待測(cè)半導(dǎo)體器件的器件狀態(tài)后,由主控單元根據(jù)待測(cè)半導(dǎo)體器件上的電流沖擊信號(hào)、電流沖擊信號(hào)的測(cè)試脈沖次數(shù)以及待測(cè)半導(dǎo)體器件的器件狀態(tài)生成待測(cè)半導(dǎo)體器件的電流上升率耐量值。如此,能夠?qū)雽?dǎo)體器件的電流上升率耐受能力進(jìn)行有效量化,以便于后續(xù)準(zhǔn)確評(píng)估半導(dǎo)體器件的電流上升率耐受能力,進(jìn)而采取必要手段降低半導(dǎo)體器件的失效比例。
聲明:
“半導(dǎo)體器件的耐量測(cè)試裝置及方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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