本發(fā)明公開了一種SiC MOSFET浪涌性能的測(cè)試方法。將場(chǎng)效應(yīng)管器件放置在測(cè)試探針臺(tái)上，連接浪涌電流產(chǎn)生電路和驅(qū)動(dòng)電路，設(shè)置輸出電流幅值和周期并施加到場(chǎng)效應(yīng)管器件進(jìn)行浪涌測(cè)試，測(cè)量得到不同幅值浪涌電流下的源漏電壓、經(jīng)過浪涌測(cè)試后器件的柵源電阻以及浪涌測(cè)試前和浪涌測(cè)試后的轉(zhuǎn)移特性曲線，轉(zhuǎn)移特性曲線的橫縱坐標(biāo)分別為源漏電壓和漏極電流；利用浪涌電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生浪涌電流，在浪涌電流通過器件后，器件在電學(xué)特性上會(huì)發(fā)生變化，根據(jù)電學(xué)特性的變化來判斷器件是否失效。本發(fā)明提供了一種簡(jiǎn)單可靠的測(cè)試SiC MOSFET浪涌可靠性的方法，可有效得到SiC MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管器件的浪涌性能和數(shù)據(jù)。