本發(fā)明提供了一種閃存HTOL測試方法,包括:提供待測閃存,所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元;所述閃存參考單元中捕獲有空穴,所述空穴在HTOL測試過程中存在丟失;對所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對所述閃存進(jìn)行HTOL測試,所述引入電子在所述HTOL測試過程中存在丟失,以對HTOL測試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。降低了閃存參考單元的輸出電流I
ref的偏移量,從而使閃存HTOL讀“0”通過,解決了閃存HTOL測試中讀點(diǎn)失效的問題,提高閃存質(zhì)量。
聲明:
“閃存HTOL測試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)