基于米勒平臺電壓的MOSFET退化評估方法及采用該方法的MOSFET剩余壽命預測方法，涉及半導體退化評估及壽命預測領域。解決了無法實時在線評估MOSFET退化狀態(tài)的問題，同時滿足了對MOSFET的剩余壽命預測方法的需求?；诿桌掌脚_電壓的以MOSFET開通波形中的米勒平臺電壓作為敏感特征參數(shù)的評估方法：將MOSFET的米勒平臺電壓作為評估器件退化狀態(tài)的參數(shù)。采用基于米勒平臺電壓的MOSFET退化評估方法獲得MOSFET退化模型，再利用粒子濾波算法對MOSFET退化模型的參數(shù)進行修正與更新，并得到新的MOSFET退化模型，從而獲得MOSFET當前狀態(tài)距失效閾值的時間差，實現(xiàn)對MOSFET的剩余壽命預測。本發(fā)明適用于半導體的退化評估及壽命預測。
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“基于米勒平臺電壓的MOSFET退化評估方法及采用該方法的MOSFET剩余壽命預測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網(wǎng)
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2025年03月25日 ~ 27日 
