本發(fā)明公開(kāi)了一種消除高安全智能卡
芯片數(shù)據(jù)加解密對(duì)非易失存儲(chǔ)器可靠性測(cè)試影響的方法。針對(duì)數(shù)據(jù)加密后寫入存儲(chǔ)器的物理數(shù)據(jù)與編程預(yù)期數(shù)據(jù)不一致,在測(cè)試COS中嵌入預(yù)加解密函數(shù),對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)加解密處理,保證寫入存儲(chǔ)器的物理數(shù)據(jù)與預(yù)期數(shù)據(jù)一致。本發(fā)明提出的非易失存儲(chǔ)器物理數(shù)據(jù)模型測(cè)試方法,能夠覆蓋典型物理失效模式,有效地考核高安全智能卡芯片中非易失存儲(chǔ)器的本征可靠性水平。
聲明:
“非易失存儲(chǔ)器耐久力物理數(shù)據(jù)模型測(cè)試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)