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IGBT模塊的鍵合線斷裂狀態(tài)監(jiān)測方法及裝置

786   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 09:00:34
本發(fā)明公開了一種IGBT模塊的鍵合線斷裂狀態(tài)監(jiān)測方法及裝置。該方法包括:采集IGBT模塊中下橋IGBT器件的集電極電壓;當判斷所述集電極電壓到零時,對當前集電極電壓負向過沖進行采樣;建立所述IGBT模塊健康狀態(tài)時集電極電壓負向過沖的基準值;將所述當前集電極電壓負向過沖和所述基準值進行比較;根據(jù)比較結(jié)果確定所述IGBT模塊的運行狀態(tài)。利用半橋結(jié)構(gòu)動作器件關(guān)斷過程的集電極電壓負向過沖監(jiān)測IGBT芯片失效,該方法受電容電壓變化影響小,且在不同的負載電流下依然可以保持較高的變化率,能夠?qū)GBT模塊發(fā)射極鍵合線部分斷裂進行有效監(jiān)測。
聲明:
“IGBT模塊的鍵合線斷裂狀態(tài)監(jiān)測方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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