本發(fā)明公開了一種16nm FinFET工藝SRAM型FPGA單粒子效應試驗方法，涉及
芯片單粒子效應試驗技術領域，解決高端制程單粒子效應測試的技術問題，方法包括：S1.使用Verilog HDL硬件描述語言編寫SRAM型FPGA中指定模塊的電路配置文件；S2.設定電流閾值并配置到SRAM型FPGA的開發(fā)板的電源控制模塊；S3.輻照源以初始輻照量輻照SRAM型FPGA；S4.使用Maxim DigitalPower電流檢測軟件實時讀取SRAM型FPGA的電流值，若電流值超過電流閾值，則進行失效機理分析，試驗結束；S5.使用Beyond Compare軟件讀取SRAM型FPGA的rbd配置信息文件，若讀取正常，則通過比較輻照前后讀取的rbd配置信息文件的配置信息；否則，記錄指定模塊發(fā)生單粒子功能中斷；S6.加大輻照源的輻照量，執(zhí)行步驟S4。
聲明：
“16nm FinFET工藝SRAM型FPGA單粒子效應試驗方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網(wǎng)
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2025年03月28日 ~ 30日 
