本發(fā)明公開(kāi)了一種DRAM的修復(fù)方法，包括以下步驟：1)DRAM芯片測(cè)試項(xiàng)分類(lèi)，分為SA缺陷測(cè)試項(xiàng)和DRAM的其它測(cè)試項(xiàng)；2)對(duì)SA缺陷測(cè)試項(xiàng)和DRAM的其它測(cè)試項(xiàng)產(chǎn)生的失效地址分別存儲(chǔ)；3)SA缺陷測(cè)試項(xiàng)的失效地址分析并進(jìn)行修復(fù)；4)將步驟2)中DRAM的其它測(cè)試項(xiàng)產(chǎn)生的失效地址和按照步驟3)處理后的SA缺陷測(cè)試的失效地址進(jìn)行合并；5)對(duì)合并后的失效地址進(jìn)行讀??；6)對(duì)讀取的失效地址進(jìn)行修復(fù)；6)最后產(chǎn)生DRAM修復(fù)方案。通過(guò)分析SA缺陷測(cè)試項(xiàng)的失效地址的處理及修復(fù)，將開(kāi)放式位線(xiàn)DRAM結(jié)構(gòu)中有潛在缺陷的SA同時(shí)替換，有效保證了顆粒級(jí)測(cè)試良率的穩(wěn)定，使得芯片修復(fù)可靠性的提升，同時(shí)降低了芯片的DPM。