本發(fā)明公開了一種解剖塑封光耦的方法,該方法包括:對塑封光耦進行內(nèi)部成像;打磨塑封光耦,直至露出光耦隔離片;采用機械應(yīng)力對塑封光耦進行解剖;去除光耦隔離片;采用腐蝕劑去除
芯片表面的導(dǎo)光膠和鍵合點上殘留物;采用有機溶劑對解剖后的塑封光耦進行清洗。本發(fā)明以一種簡單、高效、低成本、高成功率的方法實現(xiàn)對塑封光耦的解剖,并且保證了器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)完整、器件不會遺失、芯片表面干凈,確保塑封光耦器件在失效分析和破壞性物理分析等分析工作中滿足使用條件,有效提升了針對塑封光耦的分析能力,能很好滿足失效分析中的失效定位分析以及破壞性物理分析中的內(nèi)引線鍵合力、芯片剪切力等測試分析工作。
聲明:
“解剖塑封光耦的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)