本發(fā)明公開了一種定位半導(dǎo)體
芯片長(zhǎng)距離金屬線間缺陷的方法,包括步驟:1)對(duì)芯片進(jìn)行研磨剝層處理,暴露待分析金屬線的至少端頭部分;2)在待分析金屬線的端頭附近,且與金屬線沒有交接的區(qū)域,墊積出與各條待分析金屬線對(duì)應(yīng)的金屬墊;3)在待分析金屬線的端頭和對(duì)應(yīng)的金屬墊之間,墊積出用于連接端頭和金屬墊的金屬條;4)在金屬墊上扎針,進(jìn)行光致阻抗變化測(cè)試,定出缺陷在金屬線上的具體位置。該方法通過(guò)結(jié)合使用一系列的失效分析技術(shù),實(shí)現(xiàn)了對(duì)特定長(zhǎng)距離金屬線間缺陷的更快速、準(zhǔn)確和有效的定位。
聲明:
“定位半導(dǎo)體芯片長(zhǎng)距離金屬線間缺陷的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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