本發(fā)明提供了一種晶體電子密度分布模型的評價方法及其應(yīng)用。所述評價方法包括:S1.計算待測晶體的正確電子密度分布模型在經(jīng)歷第一微擾后的結(jié)構(gòu)振幅值,所述第一微擾使得所述待測晶體中各原子的正確電子密度分布模型在經(jīng)歷微擾后在晶胞內(nèi)的加和與其對應(yīng)的原子的核外電子數(shù)目相同;S2.計算待測晶體的當(dāng)前電子密度分布模型在經(jīng)歷微擾后的結(jié)構(gòu)振幅值,所述微擾使當(dāng)前電子密度分布模型中的低密度區(qū)發(fā)生改變;S3.比較S2中結(jié)構(gòu)振幅值與S1中結(jié)構(gòu)振幅值,以評價當(dāng)前電子密度分布模型。本發(fā)明的評價方法可以用于晶體結(jié)構(gòu)分析。在較低數(shù)據(jù)分辨率條件下,傳統(tǒng)的評價方法已經(jīng)失效,而本發(fā)明提供的評價方法依然有效。
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