本發(fā)明公開了一種制備半導(dǎo)體樣品的方法,包括:(a)提供前端器件結(jié)構(gòu),前端器件結(jié)構(gòu)上具有金屬間介電層,金屬間介電層中具有大馬士革結(jié)構(gòu);(b)在大馬士革結(jié)構(gòu)中和金屬間介電層上形成金屬層,金屬層高于金屬間介電層;(c)對(duì)步驟(b)形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行減薄處理,形成半導(dǎo)體樣品。采用本發(fā)明的方法來制作具有大馬士革結(jié)構(gòu)的TEM觀察樣品,能夠有效解決傳統(tǒng)工藝中的TEM觀察樣品減薄處理后其結(jié)構(gòu)發(fā)生扭曲變形的問題,提高制備具有大馬士革結(jié)構(gòu)的TEM觀察樣品的可靠性和準(zhǔn)確性,進(jìn)而提高通過其觀測結(jié)構(gòu)所進(jìn)行的失效分析的準(zhǔn)確性和可靠性。并且本實(shí)施例的方法實(shí)施難度小、實(shí)施成本較低,具有很高的實(shí)用性。
聲明:
“制備半導(dǎo)體樣品的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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