本發(fā)明公開了一種基于非精確定位的透射電鏡樣品制備方法,屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括:提供失效分析
芯片,對失效分析芯片中的失效點進行定位并標記得到標記區(qū)域;在標記區(qū)域的一側(cè)切割第一楔形空洞,并對第一楔形空洞中靠近標記區(qū)域的截面進行減薄直至觀察到失效點;在觀察到失效點的截面上形成保護層;在標記區(qū)域的另一側(cè)切割第二楔形空洞,并對第二楔形空洞中靠近標記區(qū)域的截面進行減薄直至得到預設(shè)厚度的初樣;對初樣的底部進行U形切斷后進行減薄,得到透射電鏡樣品。本發(fā)明中的方法,能夠有效的避免失效點的誤切,以及已切到失效點的一面在后續(xù)工藝中被損傷或者濺臟,從而提高了制樣成功率,改善了觀察結(jié)果。
聲明:
“基于非精確定位的透射電鏡樣品制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)