本發(fā)明提供一種透射電鏡樣品的制作方法,屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,包括:在待觀測層上設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)位置標(biāo)記;微透鏡層上方的第一平面電鍍鉑金保護(hù)層;沿垂直于第一平面的方向?qū)κ?a href="http://www.189000b.com/prod_show-37315.html" target="_blank">芯片切割得到具有失效點(diǎn)以及位置標(biāo)記的待檢測樣品;將待檢測樣品上與第一平面相垂直的第二平面粘貼于第一承載基體上;沿垂直于第二平面的方向?qū)Υ龣z測樣品及第一承載基體進(jìn)行切割得到具有失效點(diǎn)以及位置標(biāo)記且底部附著有第一承載基體切割后剩余部分的立體透射電鏡樣品;將立體透射電鏡樣品粘貼于第二承載基體上并進(jìn)行減薄操作,得到具有失效點(diǎn)以及位置標(biāo)記的平面透射電鏡樣品并染色。本發(fā)明的有益效果:解決BSI芯片的透射電鏡樣品無法有效染色的問題。
聲明:
“透射電鏡樣品的制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)