本發(fā)明公開了一種集成電路器件,該器件包括保護層及位于基底上的受保護電路,所述保護層配置成通過吸收透過基底射向受保護電路的激光輻射來保護受保護電路。所述器件可以配置成使得所述保護層的移除導致會使所述受保護電路失效的物理損壞。所述器件可包括突出到所述基底內(nèi)且位于所述保護層與所述受保護電路之間的中間電路,其中,會使所述受保護電路失效的物理損壞是針對所述中間電路的損壞。所述器件可包括檢測電路,其配置成檢測所述器件的能夠指示所述保護層的移除的電特性變化,以及作為對檢測到該電特性變化的回應,致使所述受保護電路失效。
聲明:
“具有用于吸收激光輻射的保護層的集成電路器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)