本發(fā)明提供了一種砷化鎵
芯片封裝結(jié)構(gòu)中取晶粒的方法和應(yīng)用,涉及砷化鎵芯片技術(shù)領(lǐng)域。該砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)中取晶粒的方法,采用特定原料組成以及配比的液體混合物與砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)進行反應(yīng),并通過控制反應(yīng)的時間以及溫度,從而實現(xiàn)對砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)中塑封體以及基底的完全去除,同時也不會對晶粒產(chǎn)生損傷,實現(xiàn)晶粒的完整提取。本發(fā)明提供了上述砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)中取晶粒的方法的應(yīng)用,鑒于上述方法所具有的優(yōu)勢,使得所提取的晶粒不會受到腐蝕以及損傷,保證了晶粒的完整,為研究砷化鎵芯片的失效分析提供了前提條件。本發(fā)明還提供一種砷化鎵芯片的失效分析方法。
聲明:
“砷化鎵芯片封裝結(jié)構(gòu)中取晶粒的方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)