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用于半導(dǎo)體晶片的電化學(xué)沉積工藝

1098   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 09:00:46
一種電鍍晶片的方法基于電壓變化來檢測電鍍浴失效。所述方法對電鍍具有TSV特征結(jié)構(gòu)的晶片有用??杀O(jiān)測電鍍處理器的每個陽極的電壓。電壓急劇下降表示由諸如SPS的加速劑轉(zhuǎn)換成其副產(chǎn)物MPS所導(dǎo)致的浴失效。通過電流脈沖輸送或電流遞增輸送延遲或避免浴失效。一種改良的電鍍浴具有極低酸濃度的陰極電解質(zhì)。
聲明:
“用于半導(dǎo)體晶片的電化學(xué)沉積工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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