本發(fā)明提供一種用于標(biāo)定3D NAND位線與字線短接的方法,包括以下過程:確定目標(biāo)地址,并根據(jù)目標(biāo)地址確定目標(biāo)字線層;將目標(biāo)字線層以下的所有字線層相電連并施加一能夠打開溝道結(jié)構(gòu)的溝道層的電壓;將第一探針與目標(biāo)字線層相電連,將第二探針與襯底上的導(dǎo)電層相電連;在第一探針和第二探針上施加熱點(diǎn)抓取條件,利用光發(fā)射顯微鏡進(jìn)行失效熱點(diǎn)定位。本發(fā)明方法通過將目標(biāo)字線層以下的所有字線層相電連并施加一電壓,從而將溝道結(jié)構(gòu)內(nèi)的溝道層打開,使溝道電阻減小幾個數(shù)量級,從而增大整個回路電流,增強(qiáng)了失效的信號,這樣光發(fā)射顯微鏡設(shè)備就可以順利進(jìn)行失效定位。利用本發(fā)明方法可以提早進(jìn)行糾錯,縮短了檢測周期,提高了生產(chǎn)效率。
聲明:
“用于標(biāo)定3D NAND位線與字線短接的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)