本發(fā)明適用于NAND閃存存儲設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種NAND閃存存儲設(shè)備及其數(shù)據(jù)恢復(fù)方法,包括以下步驟:步驟1:NAND閃存存儲設(shè)備設(shè)置若干個通道,每個通道內(nèi)設(shè)置若干個NAND閃存;所述通道包括數(shù)據(jù)通道和保護通道,所述數(shù)據(jù)通道用于存儲數(shù)據(jù),所述保護通道用于存儲檢驗碼,所述數(shù)據(jù)通道的個數(shù)大于或等于所述保護通道的個數(shù);步驟2:采用錯誤檢測/錯誤糾正的算法對所述數(shù)據(jù)通道的數(shù)據(jù)進行恢復(fù);步驟3:在所述步驟2失效時,采用通道間異或算法對所述數(shù)據(jù)通道的數(shù)據(jù)進行恢復(fù)。本發(fā)明所述的方法采用傳統(tǒng)的錯誤檢測/錯誤糾正算法,配合通道間異或算法,可以大大提高數(shù)據(jù)的可靠性。
聲明:
“NAND閃存存儲設(shè)備及其數(shù)據(jù)恢復(fù)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)