本發(fā)明涉及電子元器件失效分析技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種電子元器件瑕疵定位方法及存儲介質(zhì),包括通過第一成像技術(shù)獲取電子元器件的第一瑕疵圖像;根據(jù)第一瑕疵圖像在瑕疵點所在區(qū)域刻蝕出標志點;通過第一成像技術(shù)對瑕疵點所在區(qū)域進行成像,獲取電子元器件的第二瑕疵圖像;根據(jù)第二瑕疵圖像獲取瑕疵點與標志點間的相對位置信息;通過第二成像技術(shù)對標志點進行成像,獲取標志點的位置信息;根據(jù)相對位置信息以及標志點的位置信息確定瑕疵點的位置信息;根據(jù)瑕疵點的位置信息,通過第二成像技術(shù)對瑕疵點進行刻蝕,獲取電子元器件的瑕疵點剖面形貌。本發(fā)明可以實現(xiàn)對表面具有明顯損傷或表面無損傷形貌的電子元器件內(nèi)部的瑕疵進行定位,且定位精度高。
聲明:
“電子元器件瑕疵定位方法及存儲介質(zhì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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