本發(fā)明公開了一種存儲器刷新補(bǔ)償方法、裝置、補(bǔ)償電路以及存儲器件，通過復(fù)用每個存儲區(qū)域的ECC模塊產(chǎn)生的報錯信號，分別對每個存儲區(qū)域中的數(shù)據(jù)存儲錯誤進(jìn)行統(tǒng)計；分別檢測每個存儲區(qū)域的累計錯誤數(shù)量是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值，將累計錯誤數(shù)量達(dá)到預(yù)設(shè)閾值的存儲區(qū)域確定為目標(biāo)存儲區(qū)域；將目標(biāo)存儲區(qū)域的同步刷新行數(shù)從默認(rèn)行數(shù)調(diào)整為設(shè)定行數(shù)，同時啟動對刷新指令的計數(shù)，并將目標(biāo)存儲區(qū)域?qū)?yīng)的當(dāng)前錯誤統(tǒng)計數(shù)量清零；直至刷新指令的累計數(shù)量達(dá)到目標(biāo)值，再將目標(biāo)存儲區(qū)域的同步刷新行數(shù)恢復(fù)到默認(rèn)行數(shù)，這樣能夠針對存在數(shù)據(jù)失效風(fēng)險的存儲區(qū)域進(jìn)行刷新補(bǔ)償，有利于改善DRAM存儲陣列的retention問題。