本公開(kāi)涉及MRAM磁干擾診斷系統(tǒng)。提供了一種磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)診斷系統(tǒng)的實(shí)施例,其包括:在診斷模式期間將MRAM單元陣列中的所有位單元預(yù)處理為數(shù)據(jù)值一,其中所述MRAM單元陣列在半導(dǎo)體襯底的有源側(cè)中實(shí)施;在所述預(yù)處理之后,將具有預(yù)定場(chǎng)強(qiáng)的第一磁干擾場(chǎng)施加到所述MRAM單元陣列,其中所述第一磁干擾場(chǎng)由天線生成,所述天線在所述半導(dǎo)體襯底的所述有源側(cè)上方的多個(gè)導(dǎo)電和介電材料層中實(shí)施;在所述施加所述第一磁干擾場(chǎng)之后,執(zhí)行第一糾錯(cuò)碼(ECC)讀取操作以讀取所述MRAM單元陣列;以及響應(yīng)于在所述第一ECC讀取操作期間檢測(cè)到至少一個(gè)不可糾正的讀取,設(shè)置失效狀態(tài)并退出所述診斷模式。
聲明:
“MRAM磁干擾診斷系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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