根據(jù)本發(fā)明的一個方面,一種操作半導(dǎo)體存儲器件的方法包括以下步驟:執(zhí)行包括編程操作和編程驗證操作的編程循環(huán),以便在選中的存儲器單元中儲存輸入數(shù)據(jù);執(zhí)行第一錯誤比特檢查操作,用于將數(shù)據(jù)的與輸入數(shù)據(jù)不同的錯誤比特的數(shù)量與可糾正的錯誤比特的數(shù)量進行比較;如果錯誤比特的數(shù)量等于或小于可糾正錯誤比特的數(shù)量,則執(zhí)行第二錯誤檢查操作,所述第二錯誤檢查操作用于將錯誤比特的數(shù)量與用于替換確定的比特的參考數(shù)量進行比較;以及如果錯誤比特的數(shù)量大于用于替換確定的比特的參考數(shù)量,則通過將具有錯誤比特的存儲器單元的列地址加到失效列地址信息中來更新失效列地址信息。
聲明:
“半導(dǎo)體存儲器件及其操作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)