本發(fā)明提供了一種用于快速定位三維存儲(chǔ)器陣列區(qū)短路的方法，包括：將待測(cè)試樣品處理到鎢栓塞層；使用聚焦離子束機(jī)臺(tái)對(duì)處理之后的待測(cè)試樣品的失效區(qū)塊進(jìn)行標(biāo)記；通過(guò)納米點(diǎn)針臺(tái)給臺(tái)階區(qū)鎢栓塞施加一定的電壓，找出陣列區(qū)字線層與字線層之間的或字線層與源極之間的失效路徑；使用聚焦離子束機(jī)臺(tái)，在失效的字線層對(duì)應(yīng)的臺(tái)階區(qū)鎢栓塞處引出線路，然后在線路的末端沉積金屬墊體；通過(guò)微光顯微鏡給金屬墊體施加一定的電壓，從而突出失效處的熱點(diǎn)信號(hào)；在失效點(diǎn)處標(biāo)記激光標(biāo)記；使用聚焦離子束機(jī)臺(tái)在激光標(biāo)記處進(jìn)行剖面切削，同時(shí)觀察失效點(diǎn)，制備透射電子顯微鏡試片；以及使用透射電子顯微鏡對(duì)試片進(jìn)行表征。本發(fā)明的方法能夠快速實(shí)現(xiàn)對(duì)字線層短路點(diǎn)的定位和表征。