本發(fā)明公開(kāi)了一種基于鍵合引線退化的IGBT模塊可靠性評(píng)估方法及裝置,屬于IGBT可靠性評(píng)估領(lǐng)域,其中,方法的實(shí)現(xiàn)包括:獲取IGBT
芯片導(dǎo)通壓降U
ces與工作電流I
c和芯片結(jié)溫T
c之間的關(guān)系;對(duì)待測(cè)IGBT,通過(guò)工作電流I
c和芯片結(jié)溫T
c,得到IGBT芯片的導(dǎo)通壓降U
ces?c;使用電壓表測(cè)取IGBT模塊外部導(dǎo)通壓降U
ces?m;相減得到芯片與鍵合引線連接處電壓降,結(jié)合工作電流得到連接處電阻;當(dāng)連接處電阻增大到IGBT等效阻抗的5%時(shí),認(rèn)為IGBT失效。本發(fā)明能更準(zhǔn)確的表征IGBT的失效特征,使IGBT可靠性評(píng)估具有更高的準(zhǔn)確性。
聲明:
“基于鍵合引線退化的IGBT模塊可靠性評(píng)估方法及裝置” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)