本發(fā)明提供一種閃存器件制造方法,通過將測量出的平坦化后的淺溝道隔離結(jié)構(gòu)位于所述半導(dǎo)體襯底表面上方的臺階高度反饋到對所述半導(dǎo)體襯底上方用于形成字線
多晶硅層等區(qū)域的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的回刻蝕工藝中,進而通過最合適的回刻蝕深度來保證后續(xù)形成的字線多晶硅層下方的氧化層的厚度以及淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)臺階高度的穩(wěn)定性,從而避免因淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)臺階高度過低引起閃存產(chǎn)品的編程以及編程干擾失效或者因淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)臺階高度過高引起多晶硅殘留問題,提高閃存產(chǎn)品的可靠性和良率。
聲明:
“閃存器件制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)